Memori DDR6 dijangka melebihi 10Gbps pada tahun 2027
Oct 08, 2022| Memori DDR6 dijangka melebihi 10Gbps pada tahun 2027
Menurut pangkalan komputer, Samsung memperkenalkan peta jalan ingatannya pada acara Samsung Foundry Forum 2022. Pada tahun akan datang 2023, Samsung akan memasuki fasa proses 1bnm, dengan kapasiti cip memori mencapai 24Gb (3GB) -32Gb (4GB) dan kelajuan asli antara 6.4-7.2Gbps. Dari segi ingatan video, generasi seterusnya GDDR7 akan dikeluarkan tahun depan, jadi berkemungkinan rombakan pertengahan jangka masa AMD dan kad grafik generasi seterusnya Nvidia akan menggunakan GDDR7. Selain itu, Samsung mempunyai beberapa visi jangka panjang, seperti memori DDR6 pada tahun 2026 dan kelajuan 10Gbps asli pada tahun 2027.
←
Sepasang: Pixel 7 Pro Google mengalahkan Snapdragon 888
Hantar pertanyaan



